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断面离子研磨(CP)

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概要

使用离子研磨法,为高倍率SEM观察制作细微且高精度的断面试料。

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特征

可以对机械研磨难以加工的高分子和金属,复合材料等各种试料进行无应力加工,在无变形、不破坏试料的结晶构造的情况下,可以对积层形状、结晶状态、异物断面进行解析。

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原理

原理:用广域Ar离子光束照射试料,利用试料原子飞散的溅射现象加工试料。

加工方法:在试料正上方放置溅射速度缓慢的遮挡板,通过从上而下的广域Ar离子光束照射,溅射从遮挡板底部露出的试料,制作出沿着遮挡板端面的断面。

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用途

金属邦定接合部位断面

焊接部位断面

确认薄膜厚度

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示例-金属邦定结合位置断面

断面位置观察

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通过EDS观察对Cu wire bonding进行元素mapping

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