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AES(俄歇电子衍射分析)分析法

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简介

用电子光束照射试料表面,通过捕捉脱出的俄歇电子取得表面数nm的信息。因为面分解能达到数nm级则可以得到高画像,所以用于表面、界面的微小领域测定。可以进行组成评价和半定量评价。深度方向测定与离子光束蚀刻并用,组成评价和膜厚评价的情况下需要注意。样品主要为导电性物体。

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分析特长:

1.极表面的组成分布

通过得到试料表面数nm级的极表面元素分布、组成信息,可以评价物质接合界面等的状态。

2. 高面分解能观察

因为可进行FE-SEM水平的高面分解能画像观察,可以对应1:1的像观察和表面元素分布像,所以解释起来十分容易。

3. 深度方向分析

与离子光束蚀刻并用,可以分析深度方向。

4. 化学结合状态分析

可以观测一部分元素的化学结合状态。

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分析原理

用电子光束照射试料表面,测定从试料表面脱出的俄歇电子。因为俄歇电子市从试料表面数nm脱出,所以只可以得到极表面的信息。

分析用途

・表面元素分布评价(元素组成・line分析・mapping)

・异物分析(极微小领域附着异物分析)

・表面污染评价

・膜质评价

・表面元素的氧化・结合状态

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