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概要
聚焦离子束FIB,不仅像SEM,FE-SEM,STEM进行微观观察,并配备Ga离子束断面制样装置,可以加工纳米级别样品,用于STEM分析的样品制备及界面切割观察。


FIB特点
1.可进行微领域加工
可正确瞄准机械研磨和CP加工无法正确瞄准的位置进行加工。
2.大电流FIB column
离子光束的最大电流值为60nA,可缩短其加工时间。
因此,可以制作100μm以上的用于观察的试料的断面。
3.可利用2种加工模式
可对应目的选择rapid mode、mill mode两种加工方式。
4.喷镀
可进行碳、钨、等离子等3种模式的喷镀。
5.观察模式
通过SIM(Scanning Ion Microscope),可更鲜明地观察加工面。与SEM相比,最表层的观察精度可达到5nm,可以更加容易地观察到SEM难以观察到的金属(Al,Ni等)的结晶状态。
6.低加速电压加工
FIB加工时,为了除去Ga离子注入层,利用低加速电压进行表面加工,可以薄化Ga注入层。

FIB原理
FIB(Focused Ion Beam)是通过Ga液体金属源引出的电极的电界将Ga+离子束缚成数nm程度,在对象试料表面进行扫描,进行微加工的一种技术。
另外,还可以利用离子光束进行观察(SIM观察)及配备EDS进行结构元素分析。

FIB设备介绍
以日本电子制JIB-4000为例:
---加速电压:1~30kV
---倍率:×60(探索视野)、×200~300,000
---像分解能:5nm(30kV时)
---最大光束电流:60nA(30kV时)
---可动光圈:12个阶段(马达驱动)
---离子光束加工形状:短形、line、spot


FIB用途
・制作SEM、SIM、S/TEM用试料
・IC芯片等薄膜材料的断面构造解析
・制作镀层薄膜的断面试料,通过S/TEM分析
・观察金属结晶(SIM观察)
・配线加工(短路、断线)
・案例图片

制作观察用试料(rapid)

制作TEM,S/TEM用断面试料
通过对信号传输中损耗进行详细分析,找出影响其变化主要的因子、低损耗材料、介质厚度、铜箔粗糙度、线宽补偿、导线的旋转角度等,进行 DOE 试验验证,得出最佳的工艺制作条件,为低损耗类服务器PCB 设计制作提供最佳建议方案。
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